該PLD脈沖激光濺射沉積設備系列設備主要用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料，尤其適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。

詳情介紹：

該PLD脈沖激光濺射沉積設備系列設備主要用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料，尤其適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。

脈沖激光沉積聯合鍍膜系統由脈沖激光沉積生長腔、進樣腔與磁控濺射預處理腔組成，三個腔體配備獨立的真空系統，腔體之間通過傳樣桿連接。

技術參數:

項目	型號	CY-2PLDM
進樣室	材質	不銹鋼
	漏率	≤1×10-7Pa.L/s，
	極限真空	≤1×10-5 Pa
	結構	真空腔室上開有連接樣品傳輸桿、真空泵、快開門、真空計、放氣閥等對應的法蘭接口 獨立的真空獲得和真空檢測組件，包括所需閥門
	尺寸	進樣室可容納≥3個2英寸樣品
	加熱	配備加熱臺，可對樣品進行加熱烘烤除氣，配備加熱源和溫控電源，*高溫度≥300℃；
	清洗功能	樣品可進行直流放電等離子清洗，并配備高壓電源與電機驅動系統
	等離子清洗氣體	樣品等離子清洗的工作氣體為氫氣或氧氣，配備工作氣路
	磁力傳樣桿	數量2 位置：分別連接脈沖激光沉積成膜室與磁控濺射預處理室
脈沖激光沉積成膜室	真空腔材質	不銹鋼
	漏率	≤5×10-8 Pa.L/s
	極限真空	≤1×10-7 Pa
	激光入射石英窗口	數量*2 光路高度1200mm
	觀察窗	數量*3 配備觀察窗遮擋板
	紅外測溫窗口	預留紅外測溫窗口，呈45°夾角傾斜指向樣品臺
	真空系統	分子泵+機械泵 分子泵抽速：1200L/s 前級泵抽速：8L/s 配置分子泵旁抽機構
	真空測量	全量程復合真空計
	氣路	配備2路高精度氣路，分別用于氧氣和氫氣，配備控制針閥和氣體質量流量計，氣體流量分別是100sccm和5sccm 氣體可以通過直線驅動器，靠近樣品表面并直接噴向樣品
	樣品臺	旋轉靶臺可設定速度
	腔體接口	真空腔室上預留連接基板驅動機構、激光靶驅動機構、真空獲得和檢測、高能量電子槍和熒光屏、進樣室等部件的專用接口
激光靶材	數量	靶材數量≥6個
	尺寸	激光照射靶的尺寸≥25
	靶與成膜基板調節范圍	30～100mm，可在腔體外進行調整
	旋轉	通過靶的公轉完成切換； 每塊靶材可實現自轉，*高轉速≥30轉/分； 靶的公轉和自轉通過電機控制，配備控制軟件。
基片加熱臺	基片尺寸	2英寸；
	加熱溫度	加熱機構采用SiC加熱片； 配備溫控電源，基片加熱溫度800攝氏度以上，誤差小于1度
	移動	基片臺可以作四維移動，徑向可動范圍不小于100mm，橫向可動范圍不小于20 mm；
	旋轉	面內旋轉電機驅動，*高轉速≥30轉/分，連續可調。
反射高能電子衍射槍	系統	配備反射高能電子衍射槍，高能量電子槍、控制電源、熒光屏及真空系統
	高能電子*高能量	≥25keV
	功能	電子束斑有聚焦和偏轉功能；
	保護	電子槍帶有自鎖保護功能
	差分抽	具備差分抽功能，工作*高壓強≥10Pa；
	泵和閥門	配備差分抽真空泵和閥門
磁控濺射預處理室	真空腔室	1.不銹鋼材質，漏率≤5×10-8   Pa.L/s，極限真空≤1×10-7Pa； 2.觀察窗2個，配備觀察窗遮擋板； 3.真空獲得通過分子泵和機泵組合實現，排氣速度1200l/s和8l/s，配備全量程真空計。 4,.真空腔室上預留多個法蘭接口，可連接基板驅動機構、磁控濺射靶、氬離子槍、石英振蕩膜厚儀、真空獲得和檢測、進樣室等； 配備1路高精度氬氣氣路，配備控制針閥和氣體質量流量計，氣體流量100sccm 額外預留1路進氣氣路接口，并在機臺預留質量流量計固定位置； 設計旁抽機構，便于維持工作氣體的氣壓。
	基片加熱	基片尺寸2英寸； 加熱機構采用SiC加熱片； 配備溫控電源，基片加熱溫度800攝氏度以上，誤差小于1度； 基片臺可以作四維移動，徑向可動范圍于100mm，橫向可動范圍為2 0mm； 面內旋轉電機驅動，*高轉速≥30轉/分，連續可調基片尺寸2英寸；
	磁控濺射靶槍	配備3套磁控濺射靶（其中一套為強磁靶），靶材尺寸2英寸，可實現共焦濺射 配備直流濺射電源(*大功率1000 W)一臺、射頻電源(*大功率500 W)和匹配箱各一臺； 濺射靶的靶頭傾角可調，自帶擋板；
	氬離子槍	配備氬離子槍和控制電源； 氬離子能量0-2keV連續可調，束斑尺寸可調； 配備專用氣體導入微調閥。
	膜厚	石英振蕩膜厚儀 監測薄膜成長速度0.1～9999.9?./S 檢測薄膜厚度范圍1～9999? 振動頻率6MHz，水冷構造，連接法蘭CF35。
	水冷	冷卻循環水機制冷功率≥12kW； 采用分體式設計
	其他	鋁合金架臺，帶腳輪，高度可調； 標準電源柜，上述所有部件中涉及到控溫、旋轉、氣體流量控制等電控操作的部件均配備對應的控制電源或控制器； 冷卻水排； 觸摸屏及相關控制軟件。
功能		脈沖激光沉積室可實現指定樣品RHEED震蕩監控（以SrTiO3襯底上同質外延生長為驗收標準，震蕩周期數目不低于20個周期） 磁控濺射準備室可實現厚度≤2  nm的薄膜樣品可控制備（以Fe薄膜為驗收標準）