激光鍍膜設備用途：

激光鍍膜設備用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料，適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。

激光鍍膜設備技術參數：

主真空室		球型結構，尺寸? 450mm
進樣室		圓筒型立式結構，尺寸? 150x 150mm
真空系統配置	主真空室	分子泵與機械泵，閥門
	進樣室	分子泵與機械泵（與主真空室共用），閥門
極限壓力	主真空室	≦6*10-6Pa（經烘烤除氣后）
	進樣室	≦6*10-3Pa（經烘烤除氣后）
恢復真空時間	主真空室	20分鐘可達到5*10-3Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣）
	進樣室	20分鐘可達到5*10-3Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣）
旋轉靶臺		靶材*大尺寸約60mm；可一次安裝4塊靶材，可實現公轉換靶;每塊靶材可自轉，轉速5~60轉/分
基片加熱臺	樣品尺寸	?51
	運動方式	基片可連續回轉，轉速5~60轉/分
	加熱溫度	基片加熱zui高溫度800Ｃ±1  C，可控可調
氣路系統		質量流量控制器1路，充氣閥1路
可選部件	激光器裝置	配相干201激光器
	激光束掃描裝置	二維掃描機械平臺，執行兩自由度掃描
	計算機控制系統	控制的內容主要有公轉換靶，靶自轉，樣品自轉、樣品控溫、激光束掃描等
設備占地面積	主機	1800 * 1800mm2
	電控柜	700 *700mm2（1個）

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