- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
等離子增強CVD系統由等離子發生器，三溫區管式爐、射頻電源、真空系統組成。等離子增強CVD系統為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）， 該PECVD石墨烯薄膜制備設備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應條件，利用等離子體的活性來促進反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
三溫區PECVD應用范圍：
等離子增強CVD系統可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗場所?？稍谄瑺罨蝾愃菩螤顦悠繁砻娉练eSiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高duan裝飾等領域
三溫區PECVD技術參數:
|
產品名稱 |
三溫區PECVD |
|
產品型號 |
CY-PECVD50-1200-Q |
|
三溫區管式爐 |
工作溫度：0-1100℃ 控溫精度：±1℃ 控溫方式：AI-PID 30段工藝曲線，可存儲多條 爐管材質：高純石英 爐管尺寸：φ50mm I.D x 1400mm L 加熱溫區：三溫區 200mm+200mm+200mm 密封方式：不銹鋼真空法蘭 極限真空度：4.4E-3Pa |
|
射頻電源 |
輸出功率：0-300W zui大可調±1% RF頻率： 13.56MHz，穩定性±0.005% 噪聲：≤55DB 冷卻：風冷 |
|
質量流量計 |
三路質量流量計 閥門類型：不銹鋼針閥 氣路數量：三路 承壓范圍：-0.15Mpa~0.15Mpa 量程 1~200 SCCM 1~200 SCCM 1~500 SCCM 流量控制范圍：±1.5% 氣路材料：304不銹鋼 管道接口：6.35mm卡套接頭 |
|
真空系統 |
配有一套分子泵系統,采用一鍵式操作 600L/S |
|
水冷系統 |
CW-3000 |
|
電壓 |
220V 50HZ |
